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SiC SBD
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资讯
杂散电感对SiC和IGBT功率模块开关特性的影响探究
电源与新能源
杂散电感
SiC
IGBT
开关特性
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2024-04-18
栅极环路电感对SiC和IGBT功率模块开关特性的影响分析
电源与新能源
IGBT
SiC
开关特性
|
2024-04-18
Qorvo SiC FET与SiC MOSFET优势对比
元件/连接器
Qorvo
SiC
MOSFET
|
2024-04-16
全面升级!安森美第二代1200V SiC MOSFET关键特性解析
电源与新能源
碳化硅
SiC
MOSFET
|
2024-04-09
SiC迈入8英寸时代,国际大厂量产前夕国内厂商风口狂追
电源与新能源
SiC
8英寸
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2024-04-08
将达100亿美元,SiC功率器件市场急速扩张
电源与新能源
GaN
SiC
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2024-04-01
Wolfspeed 8英寸SiC衬底产线一期工程封顶
汽车电子
碳化硅
Wolfspeed
SiC
瑞萨
英飞凌
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2024-03-28
近年来对碳化硅(SiC)衬底需求的持续激增
国际视野
SiC
碳化硅
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2024-03-26
如何通过SiC增强电池储能系统?
电源与新能源
安森美
SiC
电池储能
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2024-03-25
SiC是如何「拯救」降价车企的?
EDA/PCB
SiC
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2024-03-25
纳微半导体与您相约亚洲充电展,最新GaN+SiC技术展望快充未来
电源与新能源
纳微半导体
亚洲充电展
GaN+SiC
快充
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2024-03-19
纳芯微推出基于创新型振铃抑制专利的车规级CAN SIC: NCA1462-Q1
模拟技术
纳芯微
振铃抑制
CAN SIC
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2024-03-12
专栏
盘点国内SiC碳化硅衬底公司
浏览:10481
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旺材芯片
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2023-10-28
英飞凌确认:两家中国SiC供应商获车规认证并大规模出货
浏览:259
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芯片大师哥
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2023-09-08
【资讯】全球SiC晶圆竞争,进入白热化
浏览:96
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旺材芯片
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2023-08-09
ROHM 1200V IGBT成功导入SEMIKRON-Danfoss功率模块
浏览:190
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12345zhi
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2023-05-09
国际领先!新一代SIC晶体生长用材料
浏览:189
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先进半导体
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2023-04-28
SiC MOSFET——降低功率损耗,迈向碳中和
浏览:6866
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芝识课堂
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2023-04-27
东芝SiC MOSFET为您开启电源新大门
浏览:3346
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芝识课堂
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2023-04-27
买买买成就的SiC巨头
浏览:223
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旺材芯片
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2023-03-16
下载
使用 InnoSwitch3-AQ(1700 V SiC 开关)替换 400 V BEV 系统中的 12 V 电池.pdf
积分:0分
InnoSwitch3-AQ
SiC
电池管理系统
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xiaxue
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EEPW2023年6月刊
积分:3分
fpga
sic
ZigBee
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lindar2000cn
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介绍几款用于车载充电器应用的 1200 V SiC MOSFET 模块
积分:0分
onsemi
安森美
OBC
电动汽车
OBC
SiC
MOSFET
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EEPW
下载
M1 1200 V SiC MOSFET特性及驱动建议
积分:0分
onsemi
安森美
能源基础设施
MOSFET
SiC
门极驱动器
NCP51705
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EEPW
下载
光伏逆变器、不间断电源和储能等应用可选用这款SiC MOSFET
积分:0分
onsemi
安森美
能源基础设施
光伏逆变器
不间断电源
储能
SiC MOSFET
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EEPW
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用户手册:安森美的1200 V SiC MOSFET评估板用于能源基础设施提供高能效、高功率密度和出色的散热
积分:0分
onsemi
安森美
能源基础设施
SiC MOSFET评估板
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EEPW
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有效测量碳化硅(SiC) 功率电子系统中的信号
积分:0分
碳化硅
SiC
测量
信号
泰克
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nakey
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SiC 一页纸方案
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泰克
SiC
电源设计
测试方案
信号波形
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nakey
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高效测量碳化硅(SiC)电源系统中的信号
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碳化硅
SiC
电源系统
信号
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nakey
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有效测量碳化硅(SiC)功率电子系统中的信号
积分:0分
泰克
碳化硅
SiC
信号
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nakey
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六月盲盒,第四关:认识大功率、高性能汽车类SiC牵引逆变器
浏览:4473 | 回复:94 |
lihaiyan
2023-06-29 12:25:55
了解SiC器件的命名规则
浏览:302 | 回复:0 |
睡梦中的雄师
2023-02-09 09:37:03
SiC器件之外延层基础知识
浏览:377 | 回复:2 |
bwcx957
2022-10-24 07:37:21
一文弄懂SiMOSFET和SiCMOSFET的导通电阻差异特性
浏览:397 | 回复:0 |
睡梦中的雄师
2022-07-21 20:25:17
SiC肖特基势垒二极管更新换代步履不停
浏览:647 | 回复:17 |
zwk34
2022-07-11 08:52:14
请问为什么SiCwafer的边缘缺陷密度更大?
浏览:449 | 回复:0 |
strandtju
2022-06-06 10:56:15
设计中使用的电源IC:专为SiC-MOSFET优化
浏览:401 | 回复:0 |
kutta
2022-05-11 19:28:55
-优点篇-使采用了SiCMOSFET的高效AC/DC转换器的设计更容易
浏览:599 | 回复:9 |
suncat0504
2022-04-14 11:31:20
采用第3代SiC-MOSFET,不断扩充产品阵容
浏览:474 | 回复:1 |
mj8abcd
2022-04-11 15:23:44
在功率二极管中损耗最小的SiC-SBD
浏览:450 | 回复:0 |
丘球
2022-04-11 11:40:35
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